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UT6JE5TCR

Name: ROHM Semiconductor UT6JE5TCR
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-UT6JE5TCR
Price: 0.36 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-UT6JE5TCR

Herst.- Nr.:

UT6JE5TCR

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs -100V 1.0A, Dual Pch+Pch, DFN2020-8D, Power MOSFET

Datenblatt:

UT6JE5TCR Datenblatt

ECAD Model:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DFN-2020-8D
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	1 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	840 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	6.7 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	2 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Dual
Abfallzeit:	25 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	1.3 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	5.4 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	2 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	31 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	6.3 ns

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Thailand
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

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