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SCT3030AW7TL

Name: ROHM Semiconductor SCT3030AW7TL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCT3030AW7TL
Price: 26.01 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-SCT3030AW7TL

Herst.- Nr.:

SCT3030AW7TL

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

SiC-MOSFETs TO263 650V 70A N-CH SIC

Datenblatt:

SCT3030AW7TL Datenblatt

ECAD Model:

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Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	26.01 CHF	26.01 CHF
	23.11 CHF	231.10 CHF
	22.14 CHF	2 214.00 CHF
	22.13 CHF	11 065.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1000)
	22.13 CHF	22 130.00 CHF

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TO-263-7
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	70 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	39 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 4 V, + 22 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	5.6 V
Qg - Gate-Ladung:	104 nC
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	267 W
Kanalmodus:	Enhancement
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	21 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	9.4 S
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Produkt:	MOSFET's
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	22 ns
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	27 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	7 ns
Artikel # Aliases:	SCT3030AW7
Gewicht pro Stück:	1,600 g

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Specification Sheets

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Thailand
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

SCTxxxAW7/SCT3xxxKW7 7-Pin-SiC-Trench-Typ-MOSFETs

ROHM Semiconductor SCT3xxxAW7/SCT3xxxKW7 7-Pin-SiC-Trench-MOSFETs nutzen einen proprietären Trench-Gate-Aufbau, der den Einschaltwiderstand um 50 % und die Eingangskapazität um 35 % im Vergleich zu Planar-SiC-MOSFETs reduziert. Die MOSFETs enthalten einen zusätzlichen Pin, der die Treiber- und Stromwuellen-Pins trennt, wodurch die Auswirkungen der Induktivitätskomponente bei der Reduzierung von Vgs eliminiert und schnellere Schaltgeschwindigkeiten gewährleistet werden. Die Trench-Typ-MOSFETs von ROHM Semiconductor verfügen über einen hohen Spannungswiderstand, einen niedrigen Einschaltwiderstand, eine schnelle Schaltgeschwindigkeit, einen einfachen Antrieb und eine einfache Parallelschaltung.