Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

RSD080N06TL

Name: ROHM Semiconductor RSD080N06TL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RSD080N06TL
Price: 0.46 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-RSD080N06TL

Herst.- Nr.:

RSD080N06TL

Herst.:

ROHM Semiconductor

Lebenszyklus:

End-of-Life-Produkt :

Gilt als veraltet und wurde vom Hersteller abgekündigt

Datenblatt:

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Lagerbestand:: Nicht auf Lager

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 16 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks.

Menge eingeben:

Minimum: 2500 Vielfache: 2500

Stückpreis:

-.-- CHF

Erw. Preis:

-.-- CHF

Vorauss. Zolltarif:

Dieses Produkt wird KOSTENLOS versandt

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	0.46 CHF	1 150.00 CHF
	0.446 CHF	2 230.00 CHF
	0.431 CHF	4 310.00 CHF

Herst.:

ROHM Semiconductor

Herst.- Nr.:

RD3L080SNTL1

Beschreibung:

MOSFETs Nch 60V 8A TO-252 (DPAK)

Mit dem aktuellen Teil vergleichen

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TO-252-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	60 V
Id - Drain-Gleichstrom:	8 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	80 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	9.4 nC
Pd - Verlustleistung:	15 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	10 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	4.8 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	13 ns
Serie:	RSD080N06
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	30 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	9 ns
Artikel # Aliases:	RSD080N06
Gewicht pro Stück:	330 mg