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RS6P060BHTB1

Name: ROHM Semiconductor RS6P060BHTB1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RS6P060BHTB1
Price: 2.02 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-RS6P060BHTB1

Herst.- Nr.:

RS6P060BHTB1

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs HS0P8 100V 60A N CHAN

Datenblatt:

RS6P060BHTB1 Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 2.02	CHF 2.02
	CHF 1.50	CHF 15.00
	CHF 1.15	CHF 115.00
	CHF 0.923	CHF 461.50
	CHF 0.883	CHF 883.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	CHF 0.851	CHF 2 127.50

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	HSOP-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	60 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	10.6 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	25 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	73 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	25 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	22 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	20 ns
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	43 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	22 ns
Artikel # Aliases:	RS6P060BH

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Nano-Baureihe Leistungslösungen

Die Leistungslösungen der Nano-Baureihe von ROHM Semiconductor bestehen aus Stromversorgungs-ICs, die entwickelt wurden, um ultra-Hochgeschwindigkeits- und ultra-Niedrigstrom-Technologie umzuwandeln. Nano Pulse Control™ -Applikationen wandeln Hochspannungen in niedrige Spannungen über einen einzigen integrierten Schaltkreis um, um einfachere, kompaktere Systeme zu ermöglichen. Zu den Applikationen gehören Power-over-Ethernet-Geräte (PoE) wie z. B. IP-Telefone, drahtlose Zugangspunkte und Industrieanlagen wie z. B. 48-V-Motorsysteme mit hohem Drehmoment. Die ultraschnelle Nano-Pulsregelungs-Technologie ermöglicht eine vereinfachte Stromversorgungskonfiguration in 48-V-Lithium-Ionen-Autobatterien, was zu einem hohen Abwärtsverhältnis (24:1) von einer maximalen Spannung von 60 V bis 2,5 V führt./ Dies führt zu einer Einschaltzeit von 9 ns, die deutlich unter den 120 ns herkömmlicher Produkte liegt.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.

RS6/RH6 n-Kanal-Leistungs-MOSFETs im Cu-Clip-Gehäuse

ROHM Semiconductor RS6/RH6 n-Kanal-Leistungs-MOSFETs im Cu-Clip-Gehäuse ermöglichen eine hohe Strombelastbarkeit mit reduziertem Gehäusewiderstand. Die Bauelemente im HSOP-8- und HSMT-8-Gehäuse bieten einen gleichzeitig niedrigen Einschaltwiderstand und eine Gate-Ladungskapazität, wodurch der Energieverlust reduziert wird. Diese MOSFETs werden in einem Temperaturbereich von -55°C bis +150°C betrieben und eignen sich hervorragend für Antriebsapplikationen, die mit 24-V- / 36-V- / 48-V-Netzteilen betrieben werden.