Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Wird ein Fehler angezeigt?

RQ6P020ATTCR

Name: ROHM Semiconductor RQ6P020ATTCR
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RQ6P020ATTCR
Price: 0.73 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-RQ6P020ATTCR

Herst.- Nr.:

RQ6P020ATTCR

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -100V(Vdss), -2.0A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)

Datenblatt:

RQ6P020ATTCR Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu ROHM Semiconductor RQ6P020ATTCR

Auf Lager: 4 215

Lagerbestand:: 4 215 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 16 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

CHF -.--

Erw. Preis:

CHF -.--

Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	CHF 0.738	CHF 0.74
	CHF 0.525	CHF 5.25
	CHF 0.351	CHF 35.10
	CHF 0.271	CHF 135.50
	CHF 0.246	CHF 246.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 0.212	CHF 636.00
	CHF 0.196	CHF 1 176.00
	CHF 0.184	CHF 1 656.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOT-457T-6
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	2 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	220 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	24 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	1.25 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	30 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	3.4 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	11 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	83 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	8.9 ns

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

n-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFETs der 4. Generation

Die Leistungs-MOSFETs der 4. Generation mit N-Kanal aus Siliziumcarbid (SiC) von ROHM Semiconductor bieten niedrige On-Widerstände und eine verbesserte Kurzschlusstoleranz. Die MOSFETs der 4. Generation aus SiC lassen sich einfach parallel schalten und einfach ansteuern. Die MOSFETs zeichnen sich durch schnelle Schaltgeschwindigkeiten/Sperrverzögerung, geringe Schaltverluste und eine maximale Betriebstemperatur von +175°C aus. Die N-Kanal SiC Leistungs-MOSFETs der 4. Generation von ROHM unterstützen eine 15 V Gate-Source-Spannung, die zur Energieeinsparung des Bauelements beiträgt.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.