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RGTH00TS65GC13

Name: ROHM Semiconductor RGTH00TS65GC13
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RGTH00TS65GC13
Price: 2.88 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-RGTH00TS65GC13

Herst.- Nr.:

RGTH00TS65GC13

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

IGBTs TO247 650V 50A TRNCH

Datenblatt:

RGTH00TS65GC13 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

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Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Verpackung/Gehäuse:	TO-247GE-3
Montageart:	Through Hole
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	650 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	2.1 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	30 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	85 A
Pd - Verlustleistung:	277 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Verpackung:	Tube
Marke:	ROHM Semiconductor
Kriechstrom Gate-Emitter:	200 nA
Produkt-Typ:	IGBT Transistors
Verpackung ab Werk:	600
Unterkategorie:	IGBTs
Artikel # Aliases:	RGTH00TS65

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Datenblatt

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

RGW 650-V-Field-Stop-Trench-IGBTs

Die RGW 650-V-Field-Stop-Trench-IGBTs von ROHM Semiconductor bieten eine niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung in einem kleinen Gehäuse. Die RGW-IGBTs zeichnen sich durch hohe Schaltgeschwindigkeiten, niedrige Schaltverluste und eine eingebaute, sehr schnelle und weiche Rückspeisung FRD aus. Die ROHM RGW 650-V-Field-Stop-Trench-IGBTs sind ideal für Solar-Wechselrichter, USV, Schweiß-, IH- und PFC-Anwendungen.