RBQ10BM100AFHTL

ROHM Semiconductor
755-RBQ10BM100AFHTL
RBQ10BM100AFHTL

Herst.:

Beschreibung:
Schottky Dioden & Gleichrichter RECT 100V 10A SM SKY BARRI

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ROHM Semiconductor
Produktkategorie: Schottky Dioden & Gleichrichter
RoHS:  
Schottky Diodes
SMD/SMT
TO-252-3
Dual Anode Common Cathode
Si
10 A
100 V
770 mV
100 A
80 uA
+ 150 C
AEC-Q101
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: ROHM Semiconductor
Produkt-Typ: Schottky Diodes & Rectifiers
Verpackung ab Werk: 2500
Unterkategorie: Diodes & Rectifiers
Vr - Sperrspannung: 100 V
Artikel # Aliases: RBQ10BM100AFH
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Konformitätscodes
CNHTS:
8541590000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
JPHTS:
854110090
KRHTS:
8541109000
TARIC:
8541100000
MXHTS:
8541100199
BRHTS:
85411099
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Korea, Republik von
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.

RBQx Schottky-Barriere-Dioden

Die RBQx Schottky-Barriere-Dioden von ROHM Semiconductor sind AEC-Q101-qualifizierte Dioden mit niedrigem IR und hoher Zuverlässigkeit für die Universal-Gleichrichtung. Diese Dioden verfügen über einen Power-Mold-Typ, einen gängigen Kathoden-Doppeltyp und eine Silizium-Epitaxie-Planarstruktur. Die RBQx Schottky-Barriere-Dioden von ROHM Semiconductor werden in einem Temperaturbereich von -55 °C bis +150 °C gelagert. Diese Dioden arbeiten bei einer Sperrschichttemperatur von +150 °C und einem Spitzen-Durchlassstoßstrom von 100 A. Die RBQx Schottky-Barriere-Dioden eignen sich hervorragend für den Einsatz in Schaltnetzteilen.