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HT8MA5TB1

Name: ROHM Semiconductor HT8MA5TB1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-HT8MA5TB1
Price: 0.42 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-HT8MA5TB1

Herst.- Nr.:

HT8MA5TB1

Herst.:

ROHM Semiconductor

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

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Datenblatt:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

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Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	HSMT-8
Transistorpolung:	N-Channel, P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V, 30 V
Id - Drain-Gleichstrom:	- 12 A, 12 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	16.4 mOhms, 34.4 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V, 2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	14.5 nC, 18.8 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	14 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Dual
Abfallzeit:	7 ns, 21 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	5.7 S, 6 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	13 ns, 20 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel, 1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	33 ns, 52 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	8 ns, 9.5 ns