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2SCR587D3TL1

Name: ROHM Semiconductor 2SCR587D3TL1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-2SCR587D3TL1
Price: 1.77 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-2SCR587D3TL1

Herst.- Nr.:

2SCR587D3TL1

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

Bipolartransistoren - BJT NPN, TO-252 (DPAK), 120V 3A, Power Transistor

Datenblatt:

2SCR587D3TL1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	1.77 CHF	1.77 CHF
	1.13 CHF	11.30 CHF
	0.765 CHF	76.50 CHF
	0.609 CHF	304.50 CHF
	0.559 CHF	559.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	0.51 CHF	1 275.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	Bipolartransistoren - BJT
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TO-252-3
Transistorpolung:	NPN
Konfiguration:	Single
Maximaler Kollektorgleichstrom (DC):	3 A
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	120 V
Kollektor-Basisspannung VCBO:	120 V
Emitter-Basisspannung VEBO:	6 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	120 mV
Pd - Verlustleistung:	10 W
Bandbreitengewinnungsprodukt fT:	250 MHz
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	ROHM Semiconductor
Kollektorgleichstrom:	3 A
DC-Kollektor/Basisgewinnung hfe Min:	120 at 100 mA, 5 V
DC Stromverstärkung hFE max.:	390 at 100 mA, 5 V
Produkt-Typ:	BJTs - Bipolar Transistors
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Artikel # Aliases:	2SCR587D3

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Technical Resources

Test/Quality Data

REACH Regulation (PDF)

RoHS (PDF)

Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
TARIC:: 8541210000
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

2Sx Bipolar Junction Transistors (BJTs)

ROHM 2Sx Bipolar Junction Transistors (BJTs) are designed for use in industrial and consumer applications. These BJTs are available in both PNP and NPN polarities. The 2Sx BJT devices are housed in a variety of packages and are designed for medium power surface mount applications. The 2Sx BJTs feature a wide storage temperature (T_stg) range of -55°C to +150°C and a junction temperature (T_J) of +150°C. Typical applications include general purpose small signal amplifiers, power supplies, high-speed switching, and low-frequency amplifiers.

Standard Bipolar Transistors

ROHM Semiconductor Standard Bipolar Transistors are semiconductors that amplify analog or digital signals. The bipolar transistors amplify current, but the devices can be connected in circuits designed to amplify voltage or power. These ROHM devices are available in both PNP and NPN polarities.