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MB85RS2MLYPNF-GS-AWERE2

Name: RAMXEED MB85RS2MLYPNF-GS-AWERE2
Brand: RAMXEED
SKU: 249-MB85S2MLYPFAWRE2
Price: 10.46 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

249-MB85S2MLYPFAWRE2

Herst.- Nr.:

MB85RS2MLYPNF-GS-AWERE2

Herst.:

RAMXEED

Beschreibung:

F-RAM 2Mbit FeRAM, SPI, 1.7-1.95V - SOP8 T&R (AEC-Q100 125C)

Datenblatt:

MB85RS2MLYPNF-GS-AWERE2 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	RAMXEED
Produktkategorie:	F-RAM
RoHS:
Speichergröße:	2 Mbit
Schnittstellen-Typ:	SPI
Maximale Taktfrequenz:	50 MHz
Organisation:	256 k x 8
Verpackung/Gehäuse:	SOP-8
Versorgungsspannung - Min.:	1.7 V
Versorgungsspannung - Max.:	1.95 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Qualifikation:	AEC-Q100
Verpackung:	Reel
Marke:	RAMXEED
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Montageart:	SMD/SMT
Betriebsversorgungsspannung:	1.8 V
Produkt-Typ:	FRAM
Verpackung ab Werk:	1500
Unterkategorie:	Memory & Data Storage

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Datenblatt

MB85RS2MLYPNF-GS-AWERE2 Datenblatt (PDF)

PCN

Product Change Notification 2026-5-25 (PDF)

Konformitätscodes

USHTS:: 8542320000
ECCN:: 3A991.b.1.b.1

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Japan
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

AEC-Q100 Compliant SPI FeRAM Family

RAMXEED AEC-Q100 Compliant SPI Ferroelectric Random Access Memory (FeRAM) Family is a high‑reliability lineup of nonvolatile ferroelectric memories designed for demanding automotive and industrial environments. These devices operate across a wide temperature range of -40°C to +125°C, making the devices suitable for harsh conditions commonly found in vehicles and high‑temperature equipment. Built on FeRAM technology, these RAMXEED components combine the nonvolatility of traditional EEPROM or Flash with the speed and endurance of SRAM‑like memory cells, offering exceptionally high read/write endurance (up to 10¹⁴ cycles in many automotive‑grade SPI variants), and instant, delay‑free writes that support frequent data updates without performance degradation.