QPD0020

Qorvo
772-QPD0020
QPD0020

Herst.:

Beschreibung:
HF-Bipolartransistoren DC-6 GHz, 35 Watt, 48 Volt GaN RF Power Transistor

Datenblatt:
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Qorvo
Produktkategorie: HF-Bipolartransistoren
RoHS:  
QPD0020
GaN Si
2.6 GHz to 2.69 GHz
Single
SMD/SMT
QFN-20
Reel
Cut Tape
Marke: Qorvo
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Ausgangsleistung: 34.7 W
Pd - Verlustleistung: 29 dBm
Produkt-Typ: RF Bipolar Transistors
Verpackung ab Werk: 100
Unterkategorie: RF Transistors
Artikel # Aliases: QPD0020SR
Gewicht pro Stück: 1.430 g
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Ausgewählte Attribute: 0

Datenblatt

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

QPD0020 GaN-HF-Leistungstransistoren

Qorvo QPD0020 GaN-HF-Leistungstransistoren sind ein unangepasster diskreter GaN-auf-SiC-HEMT von 35 W, der von DC bis 6 GHz auf einer +48-V-Versorgungsschiene betrieben wird. Die Bauteile eignen sich hervorragend für Basisstationen, Radar- und Kommunikationsapplikationen. Die Transistoren unterstützen CW- und gepulste Betriebsmodi. Der QPD0020 kann in der Doherty-Architektur für die Endstufe eines Basisstations-Leistungsverstärkers für Kleinzellen-, Mikrozellen- und aktive Antennensysteme verwendet werden. Der QPD0020 kann auch als Treiber in einem Makrozellen-Basisstations-Leistungsverstärker verwendet werden.

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