PCDD10120G1_L2_00001

Name: Panjit PCDD10120G1_L2_00001
Brand: Panjit
SKU: 241-PCDD10120G1L2001
Price: 4.18 CHF
Availability: InStock

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Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

241-PCDD10120G1L2001

Herst.- Nr.:

PCDD10120G1_L2_00001

Herst.:

Panjit

Beschreibung:

SiC Schottky Dioden 1200V SiC Schottky Barrier Diode

Datenblatt:

PCDD10120G1_L2_00001 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	4.18 CHF	4.18 CHF
	3.61 CHF	36.10 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	3.61 CHF	10 830.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Hersteller:	Panjit
Produktkategorie:	SiC Schottky Dioden
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TO-252AA-3
Konfiguration:	Single
If - Durchlassstrom:	10 A
Vrrm - Periodische Sperrspannung:	1.2 kV
Vf - Durchlassspannung:	1.5 V
Ifsm - Durchlass-Stoßstrom:	640 A
Ir - Sperrstrom:	6 uA
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Serie:	SiC Gen.1
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Panjit
Pd - Verlustleistung:	200 W
Produkt-Typ:	SiC Schottky Diodes
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Diodes & Rectifiers
Gewicht pro Stück:	321,700 mg

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CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
TARIC:: 8541100000
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

SiC Schottky Barrier Diodes

PANJIT SiC Schottky Barrier Diodes provide zero reverse recovery current, low forward voltage drop, and temperature-independent switching behavior. The devices have a high surge current capability, and excellent thermal performance. Silicon carbide technology provides lower conduction losses. The diodes can deliver stability and high ruggedness throughout -55°C to +175°C operating temperature range.