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PXN7R7-25QLJ

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Mouser-Nr.:

771-PXN7R7-25QLJ

Herst.- Nr.:

PXN7R7-25QLJ

Herst.:

Nexperia

Beschreibung:

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Datenblatt:

PXN7R7-25QLJ Datenblatt (PDF)

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Hersteller:	Nexperia
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOT8002-1-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	25 V
Id - Drain-Gleichstrom:	19 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	11.1 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.2 V
Qg - Gate-Ladung:	16.6 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	4.3 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Nexperia
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	MY
Abfallzeit:	3 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	25 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	8 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit:	6 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	5 ns
Artikel # Aliases:	934661599118

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PXN7R7-25QLJ Datenblatt (PDF)

Application Notes

Power MOSFET Single-Shot and Repetitive Avalanche Ruggedness Rating - June 20, 2022 (PDF)

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

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PXN7R7-25QLJ

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