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PSMN6R5-80PS,127

Name: Nexperia PSMN6R5-80PS,127
Brand: Nexperia
SKU: 771-PSMN6R580PS127
Price: 3.03 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

771-PSMN6R580PS127

Herst.- Nr.:

PSMN6R5-80PS,127

Herst.:

Nexperia

Beschreibung:

MOSFETs PSMN6R5-80PS/SOT78/SIL3P

Lebenszyklus:

End-of-Life-Produkt :

Gilt als veraltet und wurde vom Hersteller abgekündigt

Datenblatt:

PSMN6R5-80PS,127 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Menge	Stückpreis	Erw. Preis
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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Nexperia
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	80 V
Id - Drain-Gleichstrom:	100 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	6.9 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.3 V
Qg - Gate-Ladung:	71 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	210 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Tube
Marke:	Nexperia
Produkt-Typ:	MOSFETs
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	Transistors
Artikel # Aliases:	934064003127
Gewicht pro Stück:	2 g

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Philippinen
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

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PSMN6R5-80PS,127

Herst.: Nexperia

Beschreibung: MOSFETs PSMN6R5-80PS/SOT78/SIL3P

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