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PSMN0R9-30YLDX

Name: Nexperia PSMN0R9-30YLDX
Brand: Nexperia
SKU: 771-PSMN0R9-30YLDX
Price: 1.8 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

771-PSMN0R9-30YLDX

Herst.- Nr.:

PSMN0R9-30YLDX

Herst.:

Nexperia

Beschreibung:

MOSFETs SOT669 N-CH 30V 300A

Datenblatt:

PSMN0R9-30YLDX Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 1.80	CHF 1.80
	CHF 1.16	CHF 11.60
	CHF 1.14	CHF 57.00
	CHF 0.784	CHF 78.40
	CHF 0.626	CHF 313.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1500)
	CHF 0.548	CHF 822.00
	CHF 0.51	CHF 1 530.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Nexperia
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOT-1023-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V
Id - Drain-Gleichstrom:	300 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	870 uOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.2 V
Qg - Gate-Ladung:	109 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	291 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Nexperia
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	42.6 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	49.8 ns
Verpackung ab Werk:	1500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	63 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	38.1 ns
Artikel # Aliases:	934068233115
Gewicht pro Stück:	91.420 mg

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Datenblatt

PSMN0R9-30YLDX Datenblatt (PDF)

Application Notes

Power MOSFET Single-Shot and Repetitive Avalanche Ruggedness Rating - June 20, 2022 (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NextPowerS3 MOSFETs

Nexperia NextPowerS3 MOSFETs sind eine leistungsstarke 25 V-, 30 V- und 40 V-MOSFET-Plattform mit Superjunction-Technologie von Nexperia enthält. Die NextPowerS3-Bauteile von Nexperia werden in einem Kupfer-Clip-LFPAK-Gehäuse angeboten, liefern einen niedrigen RDS(on) und demonstrieren eine Dauerstrombelastbarkeit von bis zu 380 A. Synchrone Betriebsparameter ermöglichen den NextPowerS3 MOSFETs eine hohe Leistungsfähigkeit und Zuverlässigkeit.

PSMN N-Channel MOSFETs

Nexperia PSMN N-Channel MOSFETs include standard and logic level, regular and enhancement mode, N-Channel MOSFETs in LFPAK, LFPAK88, I²PAK, TO-220, and DFN3333-8 packages qualified to 150°C or 175°C. These Nexperia PSMN N-Channel MOSFETs are designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications, and domestic equipment.