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PMP5501QASZ

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

771-PMP5501QASZ

Herst.- Nr.:

PMP5501QASZ

Herst.:

Nexperia

Beschreibung:

Bipolartransistoren - BJT The factory is currently not accepting orders for this product.

Datenblatt:

PMP5501QASZ Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	Nexperia
Produktkategorie:	Bipolartransistoren - BJT
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DFN-1010B-6
Transistorpolung:	PNP
Konfiguration:	Dual
Maximaler Kollektorgleichstrom (DC):	100 mA
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	45 V
Kollektor-Basisspannung VCBO:	50 V
Emitter-Basisspannung VEBO:	6 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	200 mV
Pd - Verlustleistung:	350 mW
Bandbreitengewinnungsprodukt fT:	175 MHz
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Qualifikation:	AEC-Q101
Verpackung:	Reel
Marke:	Nexperia
Kollektorgleichstrom:	- 100 mA
DC-Kollektor/Basisgewinnung hfe Min:	1.05
DC Stromverstärkung hFE max.:	0.95
Produkt-Typ:	BJTs - Bipolar Transistors
Verpackung ab Werk:	5000
Unterkategorie:	Transistors
Artikel # Aliases:	934660011147

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Datenblatt

PMP5501QASZ Datenblatt (PDF)

PCN

Product Change Notification 2024-03-04 (PDF)

Konformitätscodes

USHTS:: 8541210075
TARIC:: 8541210000
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Malaysia
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

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