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PBSS4140DPN-QF

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Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

771-PBSS4140DPN-QF

Herst.- Nr.:

PBSS4140DPN-QF

Herst.:

Nexperia

Beschreibung:

Bipolartransistoren - BJT The factory is currently not accepting orders for this product.

Datenblatt:

PBSS4140DPN-QF Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	Nexperia
Produktkategorie:	Bipolartransistoren - BJT
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SC-74-6
Transistorpolung:	NPN, PNP
Konfiguration:	Dual
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	40 V
Kollektor-Basisspannung VCBO:	40 V
Emitter-Basisspannung VEBO:	5 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	500 mV
Pd - Verlustleistung:	370 mW
Bandbreitengewinnungsprodukt fT:	150 MHz
Minimale Betriebstemperatur:	- 65 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Qualifikation:	AEC-Q101
Verpackung:	Reel
Marke:	Nexperia
Kollektorgleichstrom:	1 A
DC-Kollektor/Basisgewinnung hfe Min:	300 at 1 mA, 5 V
Produkt-Typ:	BJTs - Bipolar Transistors
Verpackung ab Werk:	10000
Unterkategorie:	Transistors
Artikel # Aliases:	934664707135

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PBSS4140DPN-QF Datenblatt (PDF)

PCN

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Konformitätscodes

CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Malaysia
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

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PBSS4140DPN-QF

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