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BUK9Q50-100LJ

Name: Nexperia BUK9Q50-100LJ
Brand: Nexperia
SKU: 771-BUK9Q50-100LJ
Price: 0.65 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

771-BUK9Q50-100LJ

Herst.- Nr.:

BUK9Q50-100LJ

Herst.:

Nexperia

Beschreibung:

MOSFETs BUK9Q50-100L/SOT8002/MLPAK33

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

BUK9Q50-100LJ Datenblatt (PDF)

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	CHF 0.391	CHF 19.55
	CHF 0.265	CHF 26.50
	CHF 0.203	CHF 101.50
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	CHF 0.155	CHF 465.00
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Hersteller:	Nexperia
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Nexperia
Produkt-Typ:	MOSFETs
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Artikel # Aliases:	934670298118 934670000000

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Datenblatt

BUK9Q50-100LJ Datenblatt (PDF)

TARIC:: 8541290000

BUK9Q N-Kanal-Trench-MOSFET

Der Nexperia BXK9Q29-60A N-Kanal-Trench-MOSFET ist ein Modus-Feldeffekt-Transistor (FET) in einem kleinen SOT8002-3 (MLPAK33) SMD-Kunststoffgehäuse, der auf der Trench-MOSFET-Technologie basiert. Dieser N-Kanal-MOSFET ist logikpegelkompatibel, schnell schaltend und vollständig fahrzeugqualifiziert für AEC-Q101 bei 175 °C. Der BXK9Q29-60A Trench-MOSFET zeichnet sich durch eine maximale Drain-Source-Spannung von 60 V, einen maximalen Spitzen-Drainstrom von 84 A und eine maximale Gesamtverlustleistung von 27 W aus. Dieser N-Kanal-MOSFET verfügt außerdem über einen typischen Drain-Source-Widerstand im eingeschalteten Zustand von 23,7 mΩ, eine maximale nicht wiederholbare Drain-Source-Avalanche-Energie von 25 mJ und einen maximalen nicht wiederholbaren Avalanche-Strom von 15,8 A. Der BXK9Q29-60A Trench-MOSFET ist EU/CN RoHS-konform. Typische Applikationen sind LED-Beleuchtung, Schaltungen und DC/DC-Wandlung.