BAS21LS-QYL

Nexperia
771-BAS21LS-QYL
BAS21LS-QYL

Herst.:

Beschreibung:
Kleinsignal-Schaltdioden DIODE-SS 250V 200MA

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Nexperia
Produktkategorie: Kleinsignal-Schaltdioden
RoHS:  
Switching Diodes
SMD/SMT
DFN-1006BD-2
250 V
9.5 A
200 mA
Single
50 ns
1.25 V
100 nA
- 55 C
+ 150 C
AEC-Q101
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Nexperia
Maximale Diodenkapazität: 2 pF
Pd - Verlustleistung: 610 mW
Produkt-Typ: Diodes - General Purpose, Power, Switching
Verpackung ab Werk: 10000
Unterkategorie: Diodes & Rectifiers
Artikel # Aliases: 934662684315
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Ausgewählte Attribute: 0

CNHTS:
8541100000
USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99

SOT8009 oberflächenmontierbare Gehäuseprodukte

Die oberflächenmontierten Nexperia SOT8009-Gehäuseprodukte bieten ein unbedrahtetes Ultra-Small-Outline-Gehäuse aus Kunststoff mit seitenbenetzbaren Flanken (SWF). Das SOT8009-Gehäuse hat drei Anschlüsse, einen Raster von 0,8  mm und ein Gehäuse von 1,4 mm x 1,2 mm x 0,48 mm. Die SOT8009-Produkte verwenden einen DFN1412D-3-Beschreibungscode und ein USON-Gehäuse (ultra thin small outline; no leads). Die SOT8009 Gehäuseprodukte zur Oberflächenmontage unterstützen einen Footprint von 2 mm x 1,7 mm und eine Footprint-Fläche von 3,4 mm2.

SOT8015 oberflächenmontierbare Gehäuseprodukte

Die oberflächenmontierten SOT8015-Gehäuseprodukte von Nexperia bieten ein extrem dünnes, unbedrahtetes Kunststoffgehäuse mit kleinen Konturen und seitlich benetzbaren Flanken (SWF). Der SOT8015 hat drei Anschlüsse, einen Raster von 0,65 mm und ein Gehäuse von 1,1 mm x 1 mm x 0,48 mm. Das SOT8015-Gehäuse verfügt über einen beschreibenden Gehäusestilcode von HUSON (thermisch verbesserter, extrem dünner kleiner Umriss, keine Anschlüsse) und einen Footprint von 1,4 mm x 1,8 mm. Die SOT8015-Bauteile von Nexperia haben eine 2,52 mm2 Footprint-Fläche.

BAS21Q Hochspannungs-Schaltdioden

Nexperia BAS21Q Hochspannungs-Schaltdioden sind in unverdrahteten DFN1110D-3- und DFN1412D-3-SMD-Kunststoffgehäusen mit seitenbenetzbaren Flanken eingekapselt. Diese Dioden arbeiten mit einer Schaltgeschwindigkeit von trr ≤ 50 ns, einer hohen Sperrspannung von V≤ 200 V, einer niedrigen Gehäusehöhe von 0,5 mm und einer niedrigen Kapazität von C≤5 pF. Die BAS21Q Dioden verfügen über einen niedrigen Ableitstrom und werden in Applikationen, wie z. B. Hochgeschwindigkeits-Schaltung, Universal-Schaltung, Spannungsklemme und Umpolungsschutz verwendet.