NV6113

Navitas Semiconductor
740-NV6113
NV6113

Herst.:

Beschreibung:
Spezialisiertes Energiemanagement - PMIC GaNFast Single 650V 300mOhm PQFN 56

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Gurtabschnitt / MouseReel™
2.49 CHF 2.49 CHF
1.87 CHF 18.70 CHF
1.71 CHF 42.75 CHF
1.54 CHF 154.00 CHF
1.46 CHF 365.00 CHF
1.41 CHF 705.00 CHF
1.37 CHF 1 370.00 CHF
1.33 CHF 3 325.00 CHF
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Herst. Teilenr.:
Verpackung:
Reel, Cut Tape, MouseReel
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Navitas Semiconductor
Produktkategorie: Spezialisiertes Energiemanagement - PMIC
RoHS:  
GaNFast
Half-Bridge
SMD/SMT
PQFN-5x6-8
- 40 C
+ 125 C
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Navitas Semiconductor
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: PH
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Produkt: MOSFET Gate Drivers
Produkt-Typ: Power Management Specialized - PMIC
Verpackung ab Werk: 5000
Unterkategorie: PMIC - Power Management ICs
Handelsname: GaNFast
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Ausgewählte Attribute: 0

CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
TARIC:
8542399000
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

GaN Power ICs (GaNFast™ & GaNSense™)

Navitas Semiconductor GaN Power ICs (GaNFast™ and GaNSense™) are easy-to-use, high-speed, high-performance 'digital-in, power-out' building blocks. The ICs integrate control, drive, sensing, and protection features for all electronic power applications, including travel adaptors, consumer goods, solar inverters, data centers, motor drives, and electric vehicles. Gallium Nitride (GaN) power devices can have extremely high switching speeds, monolithically integrating the driver and power stages. This integration is vital to achieving high switching frequencies while keeping the signal clean and eliminating any unwanted noise affecting the device's control and reliability. The Navitas GaN Power ICs enable up to 3x faster charging in half the size and weight of old, silicon-based power electronics or 3x more power without a size or weight increase.

GaNFast™ Leistungs-ICs

Navitas Halbleiter GaNFast™ Leistungs-ICs sind einfach zu handhabende, schnelle und leistungsstarke „Digital-in, Power-out“ Bausteine. Die Bauelemente verfügen über einen integrierten GATE-Treiber, einen weiten Bereich an VCC- und PWM-Eingängen, einen internen 2 kV ESD-Schutz und ein großes thermisches Kühlpad. Durch monolithische Integration der Treiber- und Leistungsstufen werden hohe Schaltfrequenzen erreicht, während das Signal sauber bleibt und unerwünschtes Rauschen, das die Steuerung und Zuverlässigkeit des Bauelements beeinträchtigt, eliminiert wird. Die GaNFast Leistungs-ICs ermöglichen einen Hochfrequenzbetrieb mit einfacher Handhabung, Designflexibilität und Kompatibilität mit gängigen Topologien und Steuerungen.