AFV121KHSR5

NXP Semiconductors
841-AFV121KHSR5
AFV121KHSR5

Herst.:

Beschreibung:
MOSFET HF-Transistoren Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1000 W Peak, 960-1215 MHz, 50 V

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End-of-Life-Produkt :
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NXP
Produktkategorie: MOSFET HF-Transistoren
RoHS:  
N-Channel
Si
112 V
960 MHz to 1.215 GHz
16.9 dB
1.23 kW
- 40 C
+ 150 C
SMD/SMT
NI-1230S-4S
Reel
Marke: NXP Semiconductors
Anzahl der Kanäle: 2 Channel
Produkt-Typ: RF MOSFET Transistors
Serie: AFV121K
Verpackung ab Werk: 50
Unterkategorie: MOSFETs
Typ: RF Power MOSFET
Vgs - Gate-Source-Spannung: + 10 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung: 2.3 V
Artikel # Aliases: 935320778178
Gewicht pro Stück: 8.518 g
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Ausgewählte Attribute: 0

Konformitätscodes
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Malaysia
Herstellungsland:
Malaysia
Land der Verbreitung:
Malaysia
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