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MSCSM120DDUM31TBL2NG

Name: Microchip MSCSM120DDUM31TBL2NG
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-M120DDUM31TBL2NG
Price: 148.43 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

579-M120DDUM31TBL2NG

Herst.- Nr.:

MSCSM120DDUM31TBL2NG

Herst.:

Microchip Technology

Beschreibung:

MOSFET-Module PM-MOSFET-SIC-BL2

Datenblatt:

MSCSM120DDUM31TBL2NG Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	Microchip
Produktkategorie:	MOSFET-Module
RoHS:
Technologie:	SiC
Montageart:	Screw Mount
Transistorpolung:	N-Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	79 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	31 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 10 V, + 23 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.8 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	310 W
Marke:	Microchip Technology
Konfiguration:	Double Dual Common Source
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	Not Available
Abfallzeit:	25 ns
Produkt-Typ:	MOSFET Modules
Anstiegszeit:	30 ns
Verpackung ab Werk:	1
Unterkategorie:	Discrete and Power Modules
Typ:	MOSFET Power Module
Regelabschaltverzögerungszeit:	50 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	30 ns