MSC035SMA070B4N

Microchip Technology
579-MSC035SMA070B4N
MSC035SMA070B4N

Herst.:

Beschreibung:
SiC-MOSFETs MOSFET SIC 700 V 35 mOhm TO-247-4 Notch

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Microchip
Produktkategorie: SiC-MOSFETs
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
700 V
75 A
44 mOhms
- 10 V, + 23 V
5 V
93 nC
- 55 C
+ 175 C
304 W
Enhancement
Marke: Microchip Technology
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 11 ns
Verpackung: Tube
Produkt-Typ: SiC MOSFETS
Anstiegszeit: 7 ns
Verpackung ab Werk: 30
Unterkategorie: Transistors
Technologie: SiC
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 26 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 18 ns
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Ausgewählte Attribute: 0

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

Siliziumkarbid (SiC)-MOSFETs

Die Siliziumkarbid (SiC)-MOSFETs von Microchip Technology  bieten eine bessere dynamische und thermische Leistung als herkömmliche Silizium (Si)-Leistungs-MOSFETs.  Diese MOSFETs haben geringe Kapazitäten, niedrige Gate-Ladung, hohe Schaltgeschwindigkeit und hohe Avalanche-Robustheit Die SiC-MOSFETs können den Betrieb bei einer hohen Sperrschichttemperatur von 175°C stabilisieren. Diese MOSFETs bieten einen hohen Wirkungsgrad mit geringen Schaltverlusten. Die SiC-MOSFETs benötigen keine Freilaufdioden. Typische Applikationen sind intelligente Stromnetzübertragung und -verteilung, Induktionserwärmung und -schweißen sowie Energieversorgung und -verteilung.