ICPB1020-1-110I

Microchip Technology
579-ICPB1020-1-110I
ICPB1020-1-110I

Herst.:

Beschreibung:
GaN FETs DC-14 GHz 100W Discrete GaN HEMT

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Microchip
Produktkategorie: GaN FETs
Versandbeschränkungen:
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RoHS:  
SMD/SMT
N-Channel
112 W
Marke: Microchip Technology
Maximale Drain-Gate-Spannung: 80 V
Maximale Betriebsfrequenz: 14 GHz
Mindestbetriebsfrequenz: 0 Hz
Verpackung: Bulk
Produkt-Typ: GaN FETs
Verpackung ab Werk: 5
Unterkategorie: Transistors
Technologie: GaN
Transistorart: GaN HEMT
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Konformitätscodes
USHTS:
8541290055
ECCN:
3A001.b.3.b.3
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Nicht lieferbar
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

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