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AT28C256F-15SU

Name: Microchip AT28C256F-15SU
Brand: Microchip Technology
SKU: 556-AT28C256F15SU
Price: 9.8 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

556-AT28C256F15SU

Herst.- Nr.:

AT28C256F-15SU

Herst.:

Microchip Technology

Beschreibung:

EEPROM 256K FAST PROG SDP- 150NS IND TEMP

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Datenblatt:

AT28C256F-15SU Datenblatt (PDF)

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Hersteller:	Microchip
Produktkategorie:	EEPROM
RoHS:
Speichergröße:	256 kbit
Schnittstellen-Typ:	Parallel
Organisation:	32 k x 8
Verpackung/Gehäuse:	SOIC-28
Zugangszeit:	150 ns
Versorgungsspannung - Min.:	4.5 V
Versorgungsspannung - Max.:	5.5 V
Montageart:	SMD/SMT
Datenspeicherung:	10 Year
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 85 C
Serie:	AT28C256
Verpackung:	Tube
Max. aktiver Lesestrom:	50 mA
Marke:	Microchip Technology
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Betriebsversorgungsstrom:	50 mA
Betriebsversorgungsspannung:	5 V
Zugangszeit Ausgabefreigabe:	70 ns
Produkt-Typ:	EEPROM
Verpackung ab Werk:	27
Unterkategorie:	Memory & Data Storage
Versorgungsstrom - Max.:	50 mA
Gewicht pro Stück:	770.400 mg

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CNHTS:: 8542319090
CAHTS:: 8542320040
USHTS:: 8542320051
JPHTS:: 8542320393
KRHTS:: 8542321090
TARIC:: 8542327500
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

AT28C256 256-kBit-EEPROM-Speicher

Microchip AT28C256 256-kBit-EEPROM-Speicherbausteine sind leistungsstarke elektrisch-löschbare und programmiere Nur-Lese-Speicher (EEPROM). Der EEPROM-Speicher mit 256 kBit ist in 32.768 Wörter von jeweils 8-Bit organisiert. Diese Bausteine sind mit der erweiterten nichtflüchtigen CMOS-Technologie von Atmel hergestellt und bieten eine Zugriffszeit von 150 ns mit 440 mW Leistungsverlust. Der Zugriff auf die AT28C256 Speicherbausteine erfolgt wie bei statischen RAMs für den Lese- oder Schreibzyklus, ohne dass externe Komponenten erforderlich sind. Diese AT28C256 Bausteine enthalten ein 64-Byte-Seitenregister zum Schreiben von bis zu 64 Byte gleichzeitig. Die EEPROM-Bausteine verwenden eine interne Fehlerkorrektur für eine längere Endurance und bessere Datenhaltungseigenschaften.