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WST4300D-GP4

Name: MACOM WST4300D-GP4
Brand: MACOM
SKU: 937-WST4300D-GP4
Price: 217.63 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

937-WST4300D-GP4

Herst.- Nr.:

WST4300D-GP4

Herst.:

MACOM

Beschreibung:

GaN FETs Die, DC - 6 GHz, 45W, G28V5-1C

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

WST4300D-GP4 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	MACOM
Produktkategorie:	GaN FETs
Montageart:	SMD/SMT
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	84 V
Id - Drain-Gleichstrom:	4.5 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	110 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 10 V, + 2 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	- 2 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 85 C
Marke:	MACOM
Konfiguration:	Single
Verstärkung:	20 dB
Maximale Betriebsfrequenz:	6 GHz
Mindestbetriebsfrequenz:	DC
Ausgangsleistung:	89.13 W
Produkt:	GaN FETs
Produkt-Typ:	GaN FETs
Verpackung ab Werk:	10
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	GaN, SiC
Typ:	GaN on SiC Transistor

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

GaN on SiC Transistors

MACOM GaN on SiC Transistors are next-generation RF power transistors that deliver industry-leading gain, efficiency, and power in the same compact footprint. These transistors feature 28V operating voltage, up to 8GHz frequency, high efficiency, and high breakdown voltage. The GaN on SiC transistors support high power, gain, and efficiency, while keeping the same footprint, versus previous generations. These transistors are 100% pass-biased JEDEC HAST (JESD22-A110E) and pass-Highly Accelerated Temperature and Humidity Stress Test (HAST). The GaN on SiC transistors are ideal for 2-way private radio, broadband amplifiers, cellular infrastructure, test instrumentation, and general amplification.