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PXAE263708NB-V1-R2

Name: MACOM PXAE263708NB-V1-R2
Brand: MACOM
SKU: 941-PXAE263708NBV1R2
Price: 95.58 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

941-PXAE263708NBV1R2

Herst.- Nr.:

PXAE263708NB-V1-R2

Herst.:

MACOM

Beschreibung:

MOSFET HF-Transistoren 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz

Datenblatt:

PXAE263708NB-V1-R2 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Cut-Tape

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Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	95.58 CHF	95.58 CHF
	79.50 CHF	795.00 CHF
	73.45 CHF	7 345.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 250)
	73.45 CHF	18 362.50 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	MACOM
Produktkategorie:	MOSFET HF-Transistoren
RoHS:
Transistorpolung:	N-Channel
Technologie:	Si
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	65 V
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	80 mOhms
Betriebsfrequenz:	2.62 GHz to 2.69 GHz
Verstärkung:	13.5 dB
Ausgangsleistung:	400 W
Maximale Betriebstemperatur:	+ 225 C
Montageart:	Screw Mount
Verpackung/Gehäuse:	HB2SOF-8-1
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	MACOM
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	MY
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Produkt-Typ:	RF MOSFET Transistors
Verpackung ab Werk:	250
Unterkategorie:	MOSFETs
Typ:	RF Power MOSFET
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 6 V to + 10 V

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PCN

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

5G HF-JFETs und LDMOS-FETs

Die 5G HF-Sperrschicht-Feldeffekt-Transistoren (JFETs) und seitlich diffuse Metalloxid-Halbleiter- (LDMOS) -FETs von MACOM sind thermisch verbesserte Hochleistungstransistoren für die nächste Generation der drahtlosen Übertragung. Diese Bauteile verfügen über eine GaN-on-SiC-HEMT-Technologie (High Electron Mobility Transistor, HEMT), eine Eingangsanpassung, einen hohen Wirkungsgrad und ein thermisch verbessertes oberflächenmontiertes Gehäuse mit einem ohrlosen Flansch. Die 5-G-HF-JFETs und LDMOS-FETs von MACOM sind ideal für Multi-Standard-Mobilfunk-Leistungsverstärkerapplikationen.