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GTRB226002FC-V1-R2

MACOM

Mouser-Nr.:

941-GTRB226002FCV1R2

Herst.- Nr.:

GTRB226002FC-V1-R2

Herst.:

MACOM

Beschreibung:

GaN FETs 450W, 48V, 2110-2200 MHz GaN-SiC HEMT

Datenblatt:

GTRB226002FC-V1-R2 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

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Hersteller:	MACOM
Produktkategorie:	GaN FETs
RoHS:
Marke:	MACOM
Verpackung:	Reel
Produkt-Typ:	GaN FETs
Verpackung ab Werk:	250
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	GaN-on-SiC
Transistorart:	GaN HEMT

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Datenblatt

GTRB226002FC-V1-R2 Datenblatt (PDF)

PCN

Product Change Notification 2024-04-25 (PDF)

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Konformitätscodes

USHTS:: 8541290055
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Malaysia
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

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