GTRA362002FC-V1-R0

MACOM
941-GTRA362002FCV1R0
GTRA362002FC-V1-R0

Herst.:

Beschreibung:
GaN FETs 200W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz

ECAD Model:
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MACOM
Produktkategorie: GaN FETs
Versandbeschränkungen:
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RoHS:  
Screw Mount
H-37248C-4
N-Channel
150 V
4.1 A
+ 225 C
Marke: MACOM
Verstärkung: 13.5 dB
Maximale Betriebsfrequenz: 3.6 GHz
Mindestbetriebsfrequenz: 3.4 GHz
Ausgangsleistung: 200 W
Verpackung: Reel
Verpackung: Cut Tape
Verpackung: MouseReel
Produkt-Typ: GaN FETs
Verpackung ab Werk: 50
Unterkategorie: Transistors
Technologie: GaN
Transistorart: GaN HEMT
Vgs - Gate-Source-Durchschlagspannung: - 10 V to 2 V
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Ausgewählte Attribute: 0

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USHTS:
8541290055
ECCN:
3A001.b.3.a

5G HF-JFETs und LDMOS-FETs

Die 5G HF-Sperrschicht-Feldeffekt-Transistoren (JFETs) und seitlich diffuse Metalloxid-Halbleiter- (LDMOS) -FETs von MACOM sind thermisch verbesserte Hochleistungstransistoren für die nächste Generation der drahtlosen Übertragung. Diese Bauteile verfügen über eine GaN-on-SiC-HEMT-Technologie (High Electron Mobility Transistor, HEMT), eine Eingangsanpassung, einen hohen Wirkungsgrad und ein thermisch verbessertes oberflächenmontiertes Gehäuse mit einem ohrlosen Flansch. Die 5-G-HF-JFETs und LDMOS-FETs von MACOM sind ideal für Multi-Standard-Mobilfunk-Leistungsverstärkerapplikationen.