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LSIC2SD120N80PA

Name: Littelfuse LSIC2SD120N80PA
Brand: Littelfuse
SKU: 576-LSIC2SD120N80PA
Price: 25.34 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

576-LSIC2SD120N80PA

Herst.- Nr.:

LSIC2SD120N80PA

Herst.:

Littelfuse

Beschreibung:

SiC Schottky Dioden RECT 1.2KV 80A SM SCHOTTKY

Lebenszyklus:

End-of-Life-Produkt :

Gilt als veraltet und wurde vom Hersteller abgekündigt

Datenblatt:

LSIC2SD120N80PA Datenblatt

ECAD Model:

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	25.34 CHF	25.34 CHF
	19.98 CHF	199.80 CHF
	19.85 CHF	1 985.00 CHF
	19.00 CHF	9 500.00 CHF
1 000	Kostenvoranschlag

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Littelfuse
Produktkategorie:	SiC Schottky Dioden
RoHS:
Montageart:	Screw Mount
Verpackung/Gehäuse:	SOT-227B
Konfiguration:	Dual Series
If - Durchlassstrom:	80 A
Vrrm - Periodische Sperrspannung:	1.2 kV
Vf - Durchlassspannung:	1.8 V
Ifsm - Durchlass-Stoßstrom:	300 A
Ir - Sperrstrom:	100 uA
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Serie:	LSIC2SD
Verpackung:	Tube
Marke:	Littelfuse
Produkt-Typ:	SiC Schottky Diodes
Verpackung ab Werk:	100
Unterkategorie:	Diodes & Rectifiers

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Datenblatt

LSIC2SD120N80PA Datenblatt

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
TARIC:: 8541100000
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Korea, Republik von
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

GEN2 SiC-Schottky-Dioden

Littelfuse GEN2 Siliziumkarbid(SiC)-Schottky-Dioden bieten einen verbesserten Wirkungsgrad, eine höhere Zuverlässigkeit und ein besseres Wärmemanagement in verschiedenen Applikationen. Die Dioden haben eine Sperrschicht-Betriebstemperatur von max. 175 °C. Der positive Temperaturkoeffizient der Dioden sorgt für einen sicheren Betrieb und eine einfache Parallelschaltung. Zu den weiteren Merkmalen der GEN2 SiC-Schottky-Dioden gehören ein hohes Ableitvermögen und ein geringfügiger Sperrverzögerungsstrom. Das Schaltverhalten der Dioden ist extrem schnell und temperaturunabhängig. Im Vergleich zu Si-Bipolardioden bieten diese Dioden drastisch reduzierte Schaltverluste. Die GEN2 SiC-Schottky-Dioden eignen sich ideal für EV-Ladestationen, Solar-Wechselrichter, Schaltnetzteile und vieles mehr. Diese Dioden sind in einem TO-220-2L-, TO-252-2L(DPAK)- oder TO-263-2L(D2PAK)-Gehäuse verfügbar.

SiC-MOSFETs

Littelfuse SiC-MOSFETs sind für hocheffiziente Hochfrequenzapplikationen optimiert. Diese robusten SiC-MOSFETs sind in einem TO-247-3L-Gehäuse erhältlich und bieten einen extrem niedrigen On-Widerstand. Littelfuse bietet intern entwickelte und hergestellte SiC-MOSFETs mit extrem niedriger Gate-Ladung und Ausgangskapazität, branchenführender Leistungsfähigkeit und Robustheit bei allen Temperaturen und mit extrem niedrigem On-Widerstand. Jetzt als 80mOhm-, 120mOhm- und 160mOhm-Versionen mit 1.200 V verfügbar.