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LSIC2SD065A16A

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

576-LSIC2SD065A16A

Herst.- Nr.:

LSIC2SD065A16A

Herst.:

Littelfuse

Beschreibung:

SiC Schottky Dioden 650V 16A TO-220-2L SiC Schottky Diode

Lebenszyklus:

End-of-Life-Produkt :

Gilt als veraltet und wurde vom Hersteller abgekündigt

Datenblatt:

LSIC2SD065A16A Datenblatt

ECAD Model:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Littelfuse
Produktkategorie:	SiC Schottky Dioden
RoHS:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-2
Konfiguration:	Single
If - Durchlassstrom:	38 A
Vrrm - Periodische Sperrspannung:	650 V
Vf - Durchlassspannung:	1.5 V
Ifsm - Durchlass-Stoßstrom:	70 A
Ir - Sperrstrom:	1 uA
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Serie:	LSIC2SD
Qualifikation:	AEC-Q101
Verpackung:	Tube
Marke:	Littelfuse
Pd - Verlustleistung:	75 W
Produkt-Typ:	SiC Schottky Diodes
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Diodes & Rectifiers
Vr - Sperrspannung:	650 V
Gewicht pro Stück:	1,500 g

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Datenblatt

LSIC2SD065A16A Datenblatt

EOL

Product Discontinuance Notification (PDF)

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Konformitätscodes

CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
KRHTS:: 8541109000
TARIC:: 8541100000
MXHTS:: 8541100199
BRHTS:: 85411099
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Korea, Republik von
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

GEN2 SiC-Schottky-Dioden

Littelfuse GEN2 Siliziumkarbid(SiC)-Schottky-Dioden bieten einen verbesserten Wirkungsgrad, eine höhere Zuverlässigkeit und ein besseres Wärmemanagement in verschiedenen Applikationen. Die Dioden haben eine Sperrschicht-Betriebstemperatur von max. 175 °C. Der positive Temperaturkoeffizient der Dioden sorgt für einen sicheren Betrieb und eine einfache Parallelschaltung. Zu den weiteren Merkmalen der GEN2 SiC-Schottky-Dioden gehören ein hohes Ableitvermögen und ein geringfügiger Sperrverzögerungsstrom. Das Schaltverhalten der Dioden ist extrem schnell und temperaturunabhängig. Im Vergleich zu Si-Bipolardioden bieten diese Dioden drastisch reduzierte Schaltverluste. Die GEN2 SiC-Schottky-Dioden eignen sich ideal für EV-Ladestationen, Solar-Wechselrichter, Schaltnetzteile und vieles mehr. Diese Dioden sind in einem TO-220-2L-, TO-252-2L(DPAK)- oder TO-263-2L(D2PAK)-Gehäuse verfügbar.