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J112

InterFET

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

106-J112

Herst.- Nr.:

J112

Herst.:

InterFET

Beschreibung:

JFETs JFET N-Channel -35V Low Noise

Datenblatt:

J112 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	InterFET
Produktkategorie:	JFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-92-3
Transistorpolung:	N-Channel
Konfiguration:	Single
Vgs - Gate-Source-Durchschlagspannung:	- 35 V
Abschaltungsspannung Gate-Source:	- 5 V
Drain-Source-Strom bei Vgs=0:	5 mA
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	50 Ohms
Pd - Verlustleistung:	360 mW
Verpackung:	Bulk
Marke:	InterFET
Produkt-Typ:	JFETs
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	Transistors

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Datenblatt

J112 Datenblatt (PDF)

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Vereinigte Staaten
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

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