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J110

InterFET

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

106-J110

Herst.- Nr.:

J110

Herst.:

InterFET

Beschreibung:

JFETs JFET N-Channel -25V Low Noise

Datenblatt:

J110 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	InterFET
Produktkategorie:	JFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-92-3
Transistorpolung:	N-Channel
Konfiguration:	Single
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	15 V
Vgs - Gate-Source-Durchschlagspannung:	- 25 V
Abschaltungsspannung Gate-Source:	- 4 V
Drain-Source-Strom bei Vgs=0:	10 mA
Id - Drain-Gleichstrom:	1 uA
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	18 Ohms
Pd - Verlustleistung:	360 mW
Serie:	J110
Verpackung:	Bulk
Marke:	InterFET
Produkt-Typ:	JFETs
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	Transistors
Gewicht pro Stück:	454 mg

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Datenblatt

J110 Datenblatt (PDF)

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541210101
KRHTS:: 8541219000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Vereinigte Staaten
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

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