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S80KS2562GABHI020

Name: Infineon S80KS2562GABHI020
Brand: Infineon Technologies
SKU: 727-S2562GABHI020
Price: 5.59 CHF
Availability: InStock

Mouser-Nr.:

727-S2562GABHI020

Herst.- Nr.:

S80KS2562GABHI020

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

DRAM SPCM

Datenblatt:

S80KS2562GABHI020 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	CHF 4.92	CHF 246.00
	CHF 4.80	CHF 480.00
	CHF 4.60	CHF 1 150.00
	CHF 4.37	CHF 1 477.06
	CHF 4.30	CHF 4 360.20
2 704	Kostenvoranschlag

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	DRAM
RoHS:
Typ:	HyperRAM
Speichergröße:	256 Mbit
Datenbus-Weite:	8 bit
Maximale Taktfrequenz:	200 MHz
Verpackung/Gehäuse:	FBGA-24
Organisation:	32 M x 8
Zugangszeit:	35 ns
Versorgungsspannung - Min.:	1.7 V
Versorgungsspannung - Max.:	2 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 85 C
Verpackung:	Tray
Marke:	Infineon Technologies
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Montageart:	SMD/SMT
Produkt-Typ:	DRAM
Verpackung ab Werk:	338
Unterkategorie:	Memory & Data Storage
Versorgungsstrom - Max.:	22 mA

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Datenblatt

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CNHTS:: 8542329010
USHTS:: 8542320028
ECCN:: 3A991.b.2

S80KS2562 & S80KS2563 256 Mb HYPERRAM™ 2.0 Speicher.

Infineon Technologies S80KS2562 und S80KS2563 HYPERRAM ™ 2.0 Speicher sind schnelle, Niedrig-Pinanzahl, stromsparende selbst-aktualisierende dynamische RAM (DRAM) mit einer HyperBUS (S80KS2562) oder Octal xSPI (S80KS2563)-Schnittstelle. Beide Bauteile verfügen über einen 200 MHz maximalen Taktgeber, einen Datendurchsatz von bis zu 400MBps und energiesparende Hybrid-Sleep- und einem Deep Power-Down- Modi. Die S80KS2562 und S80KS2563 HyperRAM sind ideale eingebettete Hochleistungssysteme, die einen erweiterten Speicher für den Zwischenspeicher oder die Pufferung erfordern.