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ISC037N12NM6ATMA1

Name: Infineon ISC037N12NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-ISC037N12NM6ATMA
Price: 3.6 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-ISC037N12NM6ATMA

Herst.- Nr.:

ISC037N12NM6ATMA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

MOSFETs IFX FET >100-150V

Datenblatt:

ISC037N12NM6ATMA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	2.36 CHF	23.60 CHF
	1.74 CHF	174.00 CHF
	1.50 CHF	750.00 CHF
	1.45 CHF	1 450.00 CHF
	1.39 CHF	3 475.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 5000)
	1.30 CHF	6 500.00 CHF

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TDSON-8FL
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	120 V
Id - Drain-Gleichstrom:	163 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	3.7 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.6 V
Qg - Gate-Ladung:	46 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	214 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	OptiMOS
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	7.2 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	47 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	5.6 ns
Verpackung ab Werk:	5000
Unterkategorie:	Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit:	17 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	12 ns
Artikel # Aliases:	ISC037N12NM6 SP005434366

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Datenblatt

ISC037N12NM6ATMA1 Datenblatt (PDF)

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Deutschland
Herstellungsland:: China
Land der Verbreitung:: Deutschland

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

OptiMOS™ 6 Leistungs-MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ Leistungs-MOSFETs bieten die modernste Innovation der nächsten Generation und eine erstklassige Performance. Die OptiMOS 6 Produktfamilie nutzt die Dünnwafer-Technologie, die wesentliche Leistungsvorteile ermöglicht. Verglichen mit alternativen Produkten liefern die OptiMOS 6 Leistungs-MOSFETs einen um 30 % reduzierten R_DS(ON) und sind für die Synchrongleichrichtung optimiert.