ISC034N08NM7ATMA1

Infineon Technologies
726-ISC034N08NM7ATMA
ISC034N08NM7ATMA1

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 5000)
0.635 CHF 3 175.00 CHF

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
Infineon
Produktkategorie: MOSFETs
Si
SMD/SMT
PG-TDSON-8
N-Channel
1 Channel
80 V
122 A
3.4 mOhms
20 V
3.2 V
34 nC
- 55 C
+ 175 C
115 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marke: Infineon Technologies
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 3.4 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 50 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 2.5 ns
Verpackung ab Werk: 5000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 13.8 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 8.6 ns
Artikel # Aliases: ISC034N08NM7 SP006167256
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Ausgewählte Attribute: 0

Konformitätscodes
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Österreich
Herstellungsland:
China
Land der Verbreitung:
Österreich
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N-Kanal OptiMOS ™ 7 80-V-Leistungs-MOSFETs

N-Kanal OptiMOS™ 7 80-V-Leistungs-MOSFETs von Infineon Technologies sind normalstufige N-Kanal-Bauteile mit überlegenem thermischem Widerstand. Die OptiMOS 7 80-V-Leistungs-MOSFET-Baureihe verfügt über eine Soft-Recovery-Body-Diode und ist für 175°C ausgelegt. Die OptiMOS 7 80-V-Leistungs-MOSFETs von Infineon sind in einem PG‐TDSON‐8-Gehäuse erhältlich und für Motorantriebe und Synchrongleichrichtungs-Applikationen optimiert.

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