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ISC015N04NM5ATMA1

Name: Infineon ISC015N04NM5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-ISC015N04NM5ATMA
Price: 1.67 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-ISC015N04NM5ATMA

Herst.- Nr.:

ISC015N04NM5ATMA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

MOSFETs IFX FET 40V

Datenblatt:

ISC015N04NM5ATMA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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-.-- CHF

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Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 5000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	1.67 CHF	1.67 CHF
	1.01 CHF	10.10 CHF
	0.712 CHF	71.20 CHF
	0.568 CHF	284.00 CHF
	0.496 CHF	496.00 CHF
	0.489 CHF	1 222.50 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 5000)
	0.464 CHF	2 320.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TDSON-FL-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	206 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1.5 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.2 V
Qg - Gate-Ladung:	51 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	115 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Infineon Technologies
Produkt-Typ:	MOSFETs
Verpackung ab Werk:	5000
Unterkategorie:	Transistors
Artikel # Aliases:	ISC015N04NM5 SP005352240

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Datenblatt

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Product Catalogs

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Deutschland
Herstellungsland:: China
Land der Verbreitung:: Deutschland

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

Infineon - IR Entwicklungs-Leistungssysteme

Die Infineon-IR Leistungs-MOSFETs sind für eine bessere Wirksamkeit, Leistungsdichte und Kosteneffizienz für ihre Produkte ausgelegt. Der gesamte Bereich von OptiMOS™ und StrongIRFET™ n-Kanal-Leistungs-MOSFETs ermöglichen Innovation und Leistung in Anwendungen wie z. B. Schaltnetzteilen (SMPS), Motorsteuerung und -antriebe, Umrichter und Datenverarbeitung. Die OptiMOS™ und StrongIRFET™ Familien decken den 20V bis 300V Bereich der MOSFET-Produkte ab. Infineon bietet die OptiMOS™ und StrongIRFET™ Produktfamilien an. Es handelt sich um zwei hoch-innovative Familien, die konstant die höchsten Qualitäts- und Leistungsanforderungen der wichtigsten Spezifikationen von Leistungssystementwicklungen erfüllen. OptiMOS™ ist der Marktführer von hocheffizienten Lösungen für die Energiegewinnung, Stromversorgung und den Stromverbrauch.
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