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ISC008N06LM6ATMA1

Name: Infineon ISC008N06LM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-ISC008N06LM6ATMA
Price: 3.25 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-ISC008N06LM6ATMA

Herst.- Nr.:

ISC008N06LM6ATMA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

MOSFETs OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

ISC008N06LM6ATMA1 Datenblatt (PDF)

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Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	3.25 CHF	3.25 CHF
	2.25 CHF	22.50 CHF
	1.92 CHF	192.00 CHF
	1.72 CHF	860.00 CHF
	1.54 CHF	1 540.00 CHF
	1.52 CHF	3 800.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 5000)
	1.52 CHF	7 600.00 CHF

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PG-TDSON-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	60 V
Id - Drain-Gleichstrom:	378 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	800 uOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.3 V
Qg - Gate-Ladung:	68 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	221 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	7.4 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	150 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	4.8 ns
Verpackung ab Werk:	5000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	48.2 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	12.5 ns
Artikel # Aliases:	ISC008N06LM6 SP005570789

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Datenblatt

ISC008N06LM6ATMA1 Datenblatt (PDF)

Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Österreich
Herstellungsland:: China
Land der Verbreitung:: Österreich

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

Leistungs-MOSFETs OptiMOS™ 6 60 V

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 60 V Leistungs-MOSFETs liefern überragendes Betriebsverhalten durch robuste Leistungs-MOSFET- Technologie. Die OptiMOS 60 V Leistungs-MOSFETs bieten einen um 37 % niedrigeren RDS_(on)und ein um etwa 25 % höheres FOMQg x RDS_(on)-Betriebsverhalten als OptiMOS 5. Die Infineon OptiMOS 6 60 V Leistungs-MOSFETs bieten einen höheren Wirkungsgrad und Leistungsdichte in Soft-Switching-Topologien und Applikationen.