IR2214SSPBF

Infineon Technologies
942-IR2214SSPBF
IR2214SSPBF

Herst.:

Beschreibung:
Gate-Treiber 1200V half-bridge,3A DESAT &Soft SD,440n

ECAD Model:
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5.21 CHF 5.21 CHF
3.99 CHF 39.90 CHF
3.53 CHF 88.25 CHF
3.36 CHF 336.00 CHF
3.23 CHF 807.50 CHF
3.09 CHF 1 545.00 CHF
3.04 CHF 3 040.00 CHF
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Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:
Verpackung:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Verfügbarkeit:
Auf Lager
Preis:
5.14 CHF
Min:
1

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
Infineon
Produktkategorie: Gate-Treiber
RoHS:  
Half-Bridge Drivers
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
SSOP-24
2 Driver
2 Output
2 A
11.5 V
20 V
Non-Inverting
24 ns
7 ns
- 40 C
+ 150 C
IR221X
Tube
Marke: Infineon Technologies
Logiktyp: CMOS
Maximale Abschaltverzögerungszeit: 440 ns
Maximale Anschaltverzögerungszeit: 440 ns
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Betriebsversorgungsstrom: 2.5 mA
Pd - Verlustleistung: 1.5 W
Produkt-Typ: Gate Drivers
Verzögerungszeit - Max.: 660 ns
Rds On - Drain-Source-Widerstand: 60 Ohms
Abschaltung: Shutdown
Verpackung ab Werk: 2200
Unterkategorie: PMIC - Power Management ICs
Technologie: Si
Handelsname: EiceDRIVER
Gewicht pro Stück: 1,700 g
Produkte gefunden:
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Ausgewählte Attribute: 0

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Konformitätscodes
CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
KRHTS:
8542311000
TARIC:
8542319000
MXHTS:
8542310302
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Taiwan
Herstellungsland:
Malaysia
Land der Verbreitung:
Taiwan
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

1.200-V-Pegelverschiebungs-Gate-Treiber

Infineon 1.200 V Pegelverschiebungs-Gate-Treiber für Industrieantriebe umfassen Dreiphasen-, Halbbrücken- und High- und Low-Side-Treiber, die sich für IGBTs oder MOSFETs eignen. Der 6ED2230S12T Dreiphasen-1.200 V-SOI-Treiber mit integrierter Bootstrap-Diode (BSD) und Überstromschutz nutzt die einzigartige Silicon-on-Insulator  (SOI) -Pegelverschiebungstechnologie des Infineon. Der 6ED2230S12T bietet eine funktionale Isolierung mit branchenführender negativer VS-Robustheit. Darüber hinaus bietet das Bauteil reduzierte Pegelverschiebungsverluste mit der integrierten Bootstrap-Diode, die eine geringere Stücklistenkosten und einen kleineren PCB-Footprint ermöglicht.

EiceDRIVER™ Gate-Treiber-ICs

Infineon EiceDRIVER™ Gate-Treiber-ICs sind für MOSFETs, IGBTs, SiC-MOSFETs und GaN-HEMTs-Bauteile ausgelegt. EiceDRIVER™ Gate-Treiber bieten eine große Auswahl von typischen Ausgangsstromoptionen von 0,1 μA bis 10 μA. Diese Bauteile verfügen über robuste Gate-Treiber-Schutzfunktionen, wie z. B. schnelle Kurzschluss-Sicherung (DESAT), aktive Miller-Klemme, Durchzündungsschutz, Fehler-, Abschalt- und Überstromschutz. Diese Funktionen machen diese Treiber-ICs ideal für Silizium- und Breitbandlücken-Leistungsbauteile, einschließlich CoolGaN™ und CoolSiC™. Aus diesem Grund bietet der Infineon mehr als 500 EiceDRIVER™ Gate-Treiber-IC-Lösungen, die sich für jeden Leistungsschalter und jede Applikation eignen.