IR2214SSPBF
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Beschreibung:
Gate-Treiber 1200V half-bridge,3A DESAT &Soft SD,440n
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Preis (CHF)
| Menge | Stückpreis |
Erw. Preis
|
|---|---|---|
| 5.21 CHF | 5.21 CHF | |
| 3.99 CHF | 39.90 CHF | |
| 3.53 CHF | 88.25 CHF | |
| 3.36 CHF | 336.00 CHF | |
| 3.23 CHF | 807.50 CHF | |
| 3.09 CHF | 1 545.00 CHF | |
| 3.04 CHF | 3 040.00 CHF | |
| 4 400 | Kostenvoranschlag |
Alternativverpackung
Datenblatt
Application Notes
- Buffer Interface with Negative Gate Bias for Desat Protected HVICs used in High Power Applications (PDF)
- Gate Drive Characteristics and Requirements for HEXFET® power MOSFETs (PDF)
- HV Floating MOS Gate Drivers (PDF)
- Understanding HVIC Datasheet Specifications (PDF)
- Use Gate Charge to Design the Gate Drive Circuit for Power MOSFETs and IGBTs (PDF)
Product Catalogs
Technical Resources
- Design Tip - Using Monolithic High Voltage Gate Drivers (PDF)
- High Current Buffer for Control IC's (PDF)
- Low Gate Charge HEXFETS simplify Gate Drive and Lower Cost (PDF)
- Managing Transients in Control IC Driven Power Stages (PDF)
- PWM Control Methods Increases Efficiency and Reliability; Extends Battery Charge-cycle Time (PDF)
- Short-Circuit Protection for Power Inverters (PDF)
- Using Control ICs to Generate Neg. Gate Bias for MOSFETs & IGBTs (PDF)
- CNHTS:
- 8542399000
- CAHTS:
- 8542390000
- USHTS:
- 8542390090
- KRHTS:
- 8542311000
- TARIC:
- 8542319000
- MXHTS:
- 8542310302
- ECCN:
- EAR99
- Ursprungsland:
- Taiwan
- Herstellungsland:
- Malaysia
- Land der Verbreitung:
- Taiwan
Schweiz
