IR2130SPBF
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Beschreibung:
Gate-Treiber 3 PHASE DRVR INVERTING INPUT
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Preis (CHF)
| Menge | Stückpreis |
Erw. Preis
|
|---|---|---|
| 6.43 CHF | 6.43 CHF | |
| 4.99 CHF | 49.90 CHF | |
| 4.39 CHF | 109.75 CHF | |
| 4.08 CHF | 408.00 CHF | |
| 3.91 CHF | 977.50 CHF | |
| 3.84 CHF | 1 920.00 CHF | |
| 3.77 CHF | 3 770.00 CHF | |
| 3.72 CHF | 7 440.00 CHF |
Alternativverpackung
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Datenblatt
Application Notes
- Gate Drive Characteristics and Requirements for HEXFET® power MOSFETs (PDF)
- HV Floating MOS Gate Drivers (PDF)
- Six-Output 600V MGDs Simplify 3-Phase Motor Drives (PDF)
- Understanding HVIC Datasheet Specifications (PDF)
- Use Gate Charge to Design the Gate Drive Circuit for Power MOSFETs and IGBTs (PDF)
EOL
Models
Product Catalogs
Technical Resources
- Design Tip - Using Monolithic High Voltage Gate Drivers (PDF)
- Low Gate Charge HEXFETS simplify Gate Drive and Lower Cost (PDF)
- Managing Transients in Control IC Driven Power Stages (PDF)
- Miniaturization of the Power Electronics for Motor Drives (PDF)
- PWM Control Methods Increases Efficiency and Reliability; Extends Battery Charge-cycle Time (PDF)
- Using Control ICs to Generate Neg. Gate Bias for MOSFETs & IGBTs (PDF)
- CNHTS:
- 8542399000
- CAHTS:
- 8542310000
- USHTS:
- 8542390090
- KRHTS:
- 8542311000
- TARIC:
- 8542319000
- MXHTS:
- 8542310302
- ECCN:
- EAR99
- Ursprungsland:
- Taiwan
- Herstellungsland:
- Malaysia
- Land der Verbreitung:
- Taiwan
Schweiz
