IR2128SPBF
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Beschreibung:
Gate-Treiber 1 HI SIDE DRVR INVERTING INPUT
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Preis (CHF)
| Menge | Stückpreis |
Erw. Preis
|
|---|---|---|
| 2.01 CHF | 2.01 CHF | |
| 1.50 CHF | 15.00 CHF | |
| 1.23 CHF | 30.75 CHF | |
| 1.17 CHF | 117.00 CHF | |
| 1.15 CHF | 287.50 CHF | |
| 1.11 CHF | 555.00 CHF | |
| 1.08 CHF | 1 080.00 CHF | |
| 0.996 CHF | 2 490.00 CHF | |
| 0.987 CHF | 3 750.60 CHF |
Alternativverpackung
Datenblatt
Application Notes
- Gate Drive Characteristics and Requirements for HEXFET® power MOSFETs (PDF)
- HV Floating MOS Gate Drivers (PDF)
- IRS212(7,8,71) and IR212(7,8,71) Comparison (PDF)
- Understanding HVIC Datasheet Specifications (PDF)
- Use Gate Charge to Design the Gate Drive Circuit for Power MOSFETs and IGBTs (PDF)
- Using the Current Sensing IR212x Gate Driver ICs (PDF)
Product Catalogs
Technical Resources
- Design Tip - Using Monolithic High Voltage Gate Drivers (PDF)
- Low Gate Charge HEXFETS simplify Gate Drive and Lower Cost (PDF)
- Managing Transients in Control IC Driven Power Stages (PDF)
- PWM Control Methods Increases Efficiency and Reliability; Extends Battery Charge-cycle Time (PDF)
- Using Control ICs to Generate Neg. Gate Bias for MOSFETs & IGBTs (PDF)
- CNHTS:
- 8542399000
- CAHTS:
- 8542310000
- USHTS:
- 8542310075
- KRHTS:
- 8542311000
- TARIC:
- 8542319000
- MXHTS:
- 8542310302
- ECCN:
- EAR99
- Ursprungsland:
- Vereinigte Staaten
- Herstellungsland:
- Thailand
- Land der Verbreitung:
- Taiwan
Schweiz
