IR2128PBF

Infineon Technologies
942-IR2128PBF
IR2128PBF

Herst.:

Beschreibung:
Gate-Treiber 1 HI SIDE DRVR INVERTING INPUT

ECAD Model:
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Infineon
Produktkategorie: Gate-Treiber
RoHS:  
MOSFET Gate Drivers
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
SOIC-8
1 Driver
1 Output
200 mA
10 V
20 V
130 ns
65 ns
- 40 C
+ 125 C
Tube
Marke: Infineon Technologies
Logiktyp: CMOS, TTL
Maximale Abschaltverzögerungszeit: 150 ns
Maximale Anschaltverzögerungszeit: 200 ns
Betriebsversorgungsstrom: 120 uA
Pd - Verlustleistung: 1 W
Produkt-Typ: Gate Drivers
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: PMIC - Power Management ICs
Technologie: Si
Gewicht pro Stück: 540 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

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Konformitätscodes
CNHTS:
8542319090
CAHTS:
8542310000
USHTS:
8542310075
KRHTS:
8542311000
TARIC:
8542319000
MXHTS:
8542310302
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Malaysia
Herstellungsland:
China
Land der Verbreitung:
Taiwan
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

EiceDRIVER™ Gate-Treiber-ICs

Infineon EiceDRIVER™ Gate-Treiber-ICs sind für MOSFETs, IGBTs, SiC-MOSFETs und GaN-HEMTs-Bauteile ausgelegt. EiceDRIVER™ Gate-Treiber bieten eine große Auswahl von typischen Ausgangsstromoptionen von 0,1 μA bis 10 μA. Diese Bauteile verfügen über robuste Gate-Treiber-Schutzfunktionen, wie z. B. schnelle Kurzschluss-Sicherung (DESAT), aktive Miller-Klemme, Durchzündungsschutz, Fehler-, Abschalt- und Überstromschutz. Diese Funktionen machen diese Treiber-ICs ideal für Silizium- und Breitbandlücken-Leistungsbauteile, einschließlich CoolGaN™ und CoolSiC™. Aus diesem Grund bietet der Infineon mehr als 500 EiceDRIVER™ Gate-Treiber-IC-Lösungen, die sich für jeden Leistungsschalter und jede Applikation eignen.