IR21271PBF
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Beschreibung:
Gate-Treiber Current Sense 1-CH 600V 200mA 250mV
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| Menge | Stückpreis |
Erw. Preis
|
|---|---|---|
| 1.85 CHF | 5 550.00 CHF | |
| 1.84 CHF | 11 040.00 CHF |
Ähnliches Produkt
Datenblatt
Application Notes
- Gate Drive Characteristics and Requirements for HEXFET® power MOSFETs (PDF)
- HV Floating MOS Gate Drivers (PDF)
- IRS212(7,8,71) and IR212(7,8,71) Comparison (PDF)
- Understanding HVIC Datasheet Specifications (PDF)
- Use Gate Charge to Design the Gate Drive Circuit for Power MOSFETs and IGBTs (PDF)
- Using the Current Sensing IR212x Gate Driver ICs (PDF)
EOL
Product Catalogs
Technical Resources
- Design Tip - Using Monolithic High Voltage Gate Drivers (PDF)
- Low Gate Charge HEXFETS simplify Gate Drive and Lower Cost (PDF)
- Managing Transients in Control IC Driven Power Stages (PDF)
- PWM Control Methods Increases Efficiency and Reliability; Extends Battery Charge-cycle Time (PDF)
- Using Control ICs to Generate Neg. Gate Bias for MOSFETs & IGBTs (PDF)
- CNHTS:
- 8542319090
- CAHTS:
- 8542310000
- USHTS:
- 8542310075
- KRHTS:
- 8542311000
- TARIC:
- 8542319000
- MXHTS:
- 8542310302
- ECCN:
- EAR99
- Ursprungsland:
- Taiwan
- Herstellungsland:
- China
- Land der Verbreitung:
- Taiwan
Schweiz
