IR2011SPBF
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Beschreibung:
Gate-Treiber 200V high & low-side ,1A,80ns,DSO-8
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Preis (CHF)
| Menge | Stückpreis |
Erw. Preis
|
|---|---|---|
| 1.42 CHF | 1.42 CHF | |
| 1.05 CHF | 10.50 CHF | |
| 0.881 CHF | 22.03 CHF | |
| 0.841 CHF | 84.10 CHF | |
| 0.817 CHF | 204.25 CHF | |
| 0.782 CHF | 391.00 CHF | |
| 0.762 CHF | 762.00 CHF | |
| 0.728 CHF | 1 820.00 CHF | |
| 0.715 CHF | 2 717.00 CHF |
Alternativverpackung
Datenblatt
Application Notes
Product Catalogs
Technical Resources
- Design Tip - Using Monolithic High Voltage Gate Drivers (PDF)
- IR2011 and IRS2011 Comparison in Class D Audio Application (PDF)
- Low Gate Charge HEXFETS simplify Gate Drive and Lower Cost (PDF)
- Managing Transients in Control IC Driven Power Stages (PDF)
- PWM Control Methods Increases Efficiency and Reliability; Extends Battery Charge-cycle Time (PDF)
- Using Control ICs to Generate Neg. Gate Bias for MOSFETs & IGBTs (PDF)
- CNHTS:
- 8542399000
- CAHTS:
- 8542310000
- USHTS:
- 8542390090
- KRHTS:
- 8542311000
- TARIC:
- 8542319000
- MXHTS:
- 8542310302
- ECCN:
- EAR99
- Ursprungsland:
- Taiwan
- Herstellungsland:
- Thailand
- Land der Verbreitung:
- Taiwan
Schweiz
