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IPP60R385CP

Name: Infineon IPP60R385CP
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPP60R385CP
Price: 2.28 CHF
Availability: Discontinued

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-IPP60R385CP

Herst.- Nr.:

IPP60R385CP

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

MOSFETs N-Ch 650V 9A TO220-3 CoolMOS CP

Lebenszyklus:

NRND:

Nicht empfohlen für neue Designs.

Datenblatt:

IPP60R385CP Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	2.28 CHF	2.28 CHF
	1.47 CHF	14.70 CHF
	1.05 CHF	105.00 CHF
	0.775 CHF	387.50 CHF
	0.762 CHF	762.00 CHF
	0.759 CHF	1 897.50 CHF

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	600 V
Id - Drain-Gleichstrom:	9 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	350 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	22 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	83 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	CoolMOS
Verpackung:	Tube
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	5 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	5 ns
Serie:	CoolMOS CE
Verpackung ab Werk:	500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	40 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	10 ns
Artikel # Aliases:	IPP6R385CPXK SP000082281 IPP60R385CPXKSA1
Gewicht pro Stück:	2 g

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Datenblatt

IPP60R385CP Datenblatt (PDF)

Product Catalogs

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: China
Land der Verbreitung:: Deutschland

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

CoolMOS CE Leistungs-MOSFETs

Die CoolMOS™ CE Leistungs-MOSFETs von Infineon sind eine nach dem Kompensationsprinzip (Superjunction, SJ) entwickelte Technologieplattform aus Hochspannungs-MOSFETs. Das Portfolio umfasst CoolMOS™ CEs mit 500 V, 600 V, 650 V, 700 V, und 800 V, die für den Einsatz in Ladegeräten mit geringem Stromverbrauch für Mobilgeräte, Elektrowerkzeuge, Adapter für Notebooks und Laptops, LCD- und LED-Fernseher und LED-Leuchten gedacht sind. Diese neue Baureihe von CoolMOS™ ist kostenoptimiert, um die typischen Anforderungen in Anwendungen für Endverbraucher ohne Kompromisse bei der bewährten CoolMOS ™ Qualität und Zuverlässigkeit zu erfüllen, und gleichzeitig immer noch preislich attraktiv zu bleiben.
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