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IPP055N08NF2SAKMA1

Name: Infineon IPP055N08NF2SAKMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPP055N08NF2SAKM
Price: 2.19 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-IPP055N08NF2SAKM

Herst.- Nr.:

IPP055N08NF2SAKMA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

MOSFETs IFX FET > 60-80V

Datenblatt:

IPP055N08NF2SAKMA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	2.19 CHF	2.19 CHF
	1.08 CHF	10.80 CHF
	0.968 CHF	96.80 CHF
	0.774 CHF	387.00 CHF
	0.751 CHF	751.00 CHF
	0.71 CHF	1 420.00 CHF
	0.612 CHF	3 060.00 CHF

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	MOSFETs
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	80 V
Id - Drain-Gleichstrom:	99 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	5.5 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.8 V
Qg - Gate-Ladung:	36 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	107 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Tube
Marke:	Infineon Technologies
Produkt-Typ:	MOSFETs
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors
Artikel # Aliases:	IPP055N08NF2S SP005548846

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Product Catalogs

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Österreich
Herstellungsland:: China
Land der Verbreitung:: Österreich

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

StrongIRFET™ 2 Leistungs-MOSFETs

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