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IPD90P04P4L04ATMA2

Name: Infineon IPD90P04P4L04ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPD90P04P4L04AT2
Price: 2.22 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-IPD90P04P4L04AT2

Herst.- Nr.:

IPD90P04P4L04ATMA2

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

Datenblatt:

IPD90P04P4L04ATMA2 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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	1.38 CHF	13.80 CHF
	0.996 CHF	99.60 CHF
	0.817 CHF	408.50 CHF
	0.764 CHF	764.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	0.739 CHF	1 847.50 CHF

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DPAK-3 (TO-252-3)
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	90 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	4.3 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 16 V, 5 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.7 V
Qg - Gate-Ladung:	135 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	125 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Infineon Technologies
Produkt-Typ:	MOSFETs
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Artikel # Aliases:	IPD90P04P4L-04 SP002325782 IPD90P04P4L04ATMA1 SP000840194
Gewicht pro Stück:	330 mg

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Product Catalogs

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Österreich
Herstellungsland:: Malaysia
Land der Verbreitung:: Österreich

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

OptiMOS®-P2 Automotive-MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS®P2 Automotive-MOSFETs bieten ein umfassendes Portfolio von p-Kanal-Automotive-Leistungs-MOSFETs mit der Technologie von OptiMOS-P2 und Gen5. Die Automotive-MOSFETs sind AEC-qualifiziert und unterstützen eine Betriebstemperatur von 175°C. Die OptiMOS-P2 Automotive-MOSFETs von Infineon sind in DPAK-, D2PAK-, TO220-, TO262- und SO8-Gehäusen verfügbar.