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IPBE65R190CFD7AATMA1

Name: Infineon IPBE65R190CFD7AATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPBE65R190CFD7A1
Price: 3.68 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-IPBE65R190CFD7A1

Herst.- Nr.:

IPBE65R190CFD7AATMA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS

Datenblatt:

IPBE65R190CFD7AATMA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	3.68 CHF	3.68 CHF
	2.31 CHF	23.10 CHF
	1.73 CHF	173.00 CHF
	1.48 CHF	740.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1000)
	1.35 CHF	1 350.00 CHF

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	14 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	190 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.5 V
Qg - Gate-Ladung:	28 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	77 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Handelsname:	CoolMOS
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Infineon Technologies
Produkt-Typ:	MOSFETs
Serie:	CoolMOS CFD7A
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors
Artikel # Aliases:	IPBE65R190CFD7A SP005398486

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Product Catalogs

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Konformitätscodes

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Deutschland
Herstellungsland:: Malaysia
Land der Verbreitung:: Österreich

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

650 V CoolMOS™ CFD7A SJ-Leistungs-MOSFETs

650-V-CoolMOS ™ -CFD7A-SJ-Leistungs-MOSFETs von Infineon Technologies sind für Elektrofahrzeug-Applikationen, wie z. B. On-Board-Ladegeräte, HV/LV-DC/DC-Wandler und Hilfsnetzteile ausgelegt. Dank der verbesserten Robustheit der kosmischen Strahlung ermöglichen die CoolMOS-CFD7A-SJ-Leistungs-MOSFETs höhere Batteriespannungen mit einer Zuverlässigkeitsrate, die der früheren Generationen und anderen Marktangeboten entspricht. CoolMOS-CFD7A-SJ-Leistungs-MOSFETs gewährleisten hohe Wirkungsgrade in hart- und resonant schaltenden Topologien, insbesondere bei leichten Lastbedingungen. Höhere Schaltfrequenzen bei Gate-Verlustpegeln, die mit denen früherer Generationen vergleichbar sind, werden erreicht. Die Reduzierung des Systemgewichts und der kleinere Platzbedarf führen zu kompakteren Designs.