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FS150R12N2T7B15BPSA1

Name: Infineon FS150R12N2T7B15BPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-FS150R12N2T7B15B
Price: 61.69 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-FS150R12N2T7B15B

Herst.- Nr.:

FS150R12N2T7B15BPSA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

IGBT-Module LOW POWER ECONO

Datenblatt:

FS150R12N2T7B15BPSA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	IGBT-Module
Produkt:	IGBT Silicon Modules
Konfiguration:	6-Pack
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	1.2 kV
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	1.55 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	150 A
Kriechstrom Gate-Emitter:	100 nA
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Verpackung:	Tray
Marke:	Infineon Technologies
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	20 V
Montageart:	Through Hole
Produkt-Typ:	IGBT Modules
Verpackung ab Werk:	15
Unterkategorie:	IGBTs
Technologie:	Si
Artikel # Aliases:	FS150R12N2T7_B15 SP005551571

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Datenblatt

FS150R12N2T7B15BPSA1 Datenblatt (PDF)

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CNHTS:: 8504409100
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

1200-V-Sixpack-IGBT-Module

Die Infineon 1200-V-Sixpack-IGBT-Module sind EasyPACK™ 1B-Sixpack-IGBT-Module mit TRENCHSTOP™ IGBT7 Emitter-gesteuerter 7-Dioden- und NTC-Technologie. Diese Technologie bietet stark reduzierte Verluste und einen hohen Grad an Steuerbarkeit. Das Zellenkonzept zeichnet sich dadurch aus, dass parallelgeschaltete Trench-Zellen, die durch Sub-Mikron-Mesas getrennt sind, im Vergleich zu früher verwendeten quadratischen Trench-Zellen implementiert werden. Der Chip ist speziell für industrielle Antriebsapplikationen und Solarenergiesysteme optimiert, was wesentlich geringere statische Verluste, eine höhere Leistungsdichte und ein weicheres Schalten bedeutet. Eine signifikante Erhöhung der Leistungsdichte kann erreicht werden, indem die zulässige maximale Betriebstemperatur bis zu 175°C in den 1200-V-Sixpack-IGBT-Modulen von Infineon erhöht wird.