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FP25R12W1T7BOMA1

Name: Infineon FP25R12W1T7BOMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-FP25R12W1T7BOMA1
Price: 32.09 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-FP25R12W1T7BOMA1

Herst.- Nr.:

FP25R12W1T7BOMA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

IGBT-Module 1200 V, 25 A PIM IGBT module

Datenblatt:

FP25R12W1T7BOMA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	32.09 CHF	32.09 CHF
	26.93 CHF	269.30 CHF
	23.85 CHF	2 862.00 CHF

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	IGBT-Module
Produkt:	IGBT Silicon Modules
Konfiguration:	3-Phase Inverter
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	1.2 kV
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	1.6 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	25 A
Kriechstrom Gate-Emitter:	100 nA
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Verpackung:	Tray
Marke:	Infineon Technologies
Produkt-Typ:	IGBT Modules
Serie:	Trenchstop IGBT7
Verpackung ab Werk:	24
Unterkategorie:	IGBTs
Technologie:	Si
Handelsname:	EasyPIM
Artikel # Aliases:	FP25R12W1T7 SP005351611

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Datenblatt

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Product Catalogs

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8504409100
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Österreich
Herstellungsland:: China
Land der Verbreitung:: Österreich

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

1.200 V PIM-IGBT-Module

Infineon 1.200 V PIM-IGBT-Module bieten eine TRENCHSTOP™ IGBT7- und EC7-Dioden-Technologie, die auf der neuesten Mikromuster-Trench-Technologie basiert. Diese Technologie bietet stark reduzierte Verluste und einen hohen Grad an Steuerbarkeit. Das Zellenkonzept zeichnet sich dadurch aus, dass parallelgeschaltete Trench-Zellen, die durch Sub-Mikron-Mesas getrennt sind, im Vergleich zu früher verwendeten quadratischen Trench-Zellen implementiert werden. Der Chip ist speziell für industrielle Antriebsapplikationen und Solarenergiesysteme optimiert, was wesentlich geringere statische Verluste, eine höhere Leistungsdichte und ein weicheres Schalten bedeutet. Eine signifikante Erhöhung der Leistungsdichte kann erreicht werden, indem die zulässige Maximale Betriebstemperatur von bis zu 175°C in den 1.200 V PIM-IGBT-Modulen von Infineon erhöht wird.

TRENCHSTOP™ IGBT7 Diskrete Bauteile und Module

Infineon Technologies TRENCHSTOP™ IGBT7 diskrete Bauteile und Module sind für Antriebe mit variabler Geschwindigkeit ausgelegt. 20 % Energie oder 17 Millionen Tonnen CO₂ können eingespart werden, wenn nur die Hälfte aller Industrieantriebe über eine elektrische Geschwindigkeitsregelung verfügen würde. Infineon ermöglicht diese Umstellung mit der TRENCHSTOP IGBT7-Technologie.

EasyPIM™ IGBT-Modul

Das Infineon Technologies EasyPIM™ IGBT-Modul ist ein Dreiphasen-Eingangsgleichrichter-PIM-IGBT-Modul mit TRENCHSTOP™ IGBT7 Emitter-gesteuerter Diode und NTC-/PressFIT-Technologie. Dieses Modul zeichnet sich durch eine verbesserte Steuerbarkeit von dv/dt, eine verbesserte FWD-Nachgiebigkeit, optimierte Schaltverluste und eine Kurzschlussfestigkeit von 8 µs aus. Das EasyPIM (Leistungs-integriertes Modul) ist sehr klein und ermöglicht dadurch eine höhere Leistungsdichte. Zur Erfüllung der Energieeffizienzanforderungen reduziert dieses Modul die Systemkosten und -verluste. Zu den typischen Applikationen gehören Umrichter, Klimaanlagen, Servomotoren und Heizung, Lüftung und Klima (HLK).